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摘要
粗铝丝键合具备过流大、键合灵活的优点，被广泛应用于VDMOS等大功率器件的封装。但功率器件工作时发热量大，粗铝丝/金层键合系统在长时间高温的环境下，容易发生引线剥离脱落，导致器件失效。本文利用SEM/EDS以及FIB等测试手段，系统研究了Al/Au界面的金属间化合物(intermetallic compound, IMC)及柯肯达尔空洞(kirkendall hole)的形成对粗铝丝键合脱键失效的影响。结果表明：粗铝丝键合脱键是源于高温过程中，金铝之间形成多种金属间化合物，引起体积变化，形成了连续的柯肯达尔空洞，最终导致键合脱键失效；降低金层厚度可以有效降低粗铝丝脱键导致的失效风险。
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