对高压SOI pLDMOS器件总剂量辐射效应进行了研究。分析了不同偏置条件下器件击穿电压的退化机理，并使用TCAD在不同氧化层界面引入固定陷阱电荷，仿真了电离辐射总剂量效应。结果表明，总剂量辐射在FOX和BOX引入辐射陷阱电荷QBOX和QFOX。QFOX增加了漏极附近横向电场，降低了埋氧层电场，使击穿位置由体内转到表面，导致击穿电压退化。QBOX降低了埋氧层电场，降低了埋氧层压降，导致击穿电压退化。
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