磁控溅射法制备的CaCu_3Ti_4O_(12)薄膜

作者：周小莉; 杜丕一

来源：Acta Physica Sinica, 2005, (04): 1809-1813.

• 磁控溅射
• CaCu3Ti4O12
• 介电常数
• 激活能 magnetron sputtering
• CaCu 3Ti 4O 12
• dielectric constant
• activation energy

采用溅射方法成功地制备了CaCu3Ti4 O1 2 薄膜 ,用原子力显微镜、x射线衍射 (XRD)仪和LCR分析仪对样品进行形貌、物相结构和介电性质的研究 .XRD表明 ,薄膜比块体的晶格常数小但晶格畸变较大 ;LCR测量结果显示 ,在相同温度下薄膜比块体的相对介电常数低 ,薄膜相对介电常数由低到高转变时对应的温度较高且激活能较大 .分析表明 :薄膜的相对介电常数较低是样品中晶相含量较低、缺陷较多使内部阻挡层电容大量减小、致密度不高引起的 ;薄膜中激活能的增大由膜和基底间晶格的不匹配造成膜中的内应力增大、微结构、缺陷和畴等因素决定 ;介电常数在低频时的急剧增大 ,意味着存在界面极化 ,它与界面...

• 单位
  台州学院; 浙江大学; 硅材料国家重点实验室