高电子迁移率晶体管（HEMT）作为半导体功率器件，能够应用在高温、高压和高频等环境。到目前为止，第二代半导体材料GaAs、InP基HEMTs体系的发展已相当成熟，随着第三代半导体GaN基HEMT体系的数据及理论不断完善，其在相关领域的应用正逐渐占据市场的主导地位，而随着对超宽禁带半导体Ga2O3理论的完善及无铱工艺的出现，Ga2O3基HEMT器件在电力电子、射频微波等领域展现出巨大的发展潜力。
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