本发明提供了一种氧化铟纳米结构半导体材料及其制备方法,所述半导体材料为一种带节点的棱柱构成的具有宏观长结构的半导体材料,所述半导体材料为In2O3纳米结构晶体。本发明生产操作条件简单,成本低,重复性高,适用于大规模工业生产,且生成的In2O3棱柱状带节点的纳米结构具有棱柱状结构及节点,棱柱的尖端和节点的尖端具有纳米级的尺度,其独特的构造,使得它可用于高效的场发射材料,且该材料具有宏观的长结构,便于工业上的后续应用操作。该宏观长结构在国际上尚未见报道,具有独创性。
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