科研之友
微信
新浪微博
Facebook
分享链接
摘要
本发明涉及一种基于绝缘体上硅(SOI)选择性制备多孔硅的新方法。该方法是采用在SOI硅片上两次腐蚀后进行多孔硅的制备,第一次腐蚀是将SOI硅片的底层硅刻蚀出一个凹槽,第二次是腐蚀在凹槽处露出的绝缘层。再采用电化学腐蚀方法在凹槽对应的上层硅上制备多孔硅,在这上层硅上可以分别在两侧制得多孔硅,也可以两侧都腐蚀出多孔硅。在制备过程中由于只有在腐蚀了绝缘材料区域导通电流,故制备出的多孔硅表面形状和尺寸与掩膜板上设有的透光区域相一致。此方法利用成熟的腐蚀工艺,制备方法很简单,便于操作,成本低廉,在微电子机械系统(MEMS)和集成电路(IC)等领域具有非常好的推广价值。
- 单位
