摘要

单片集成高速光电探测器(PD)与硅(Si)的能力有助于大幅降低成本。这种PD被设想成未来的芯片内,芯片间,板对板,机架间,以及内/数据中心链路中的高速光学互连的组成部分。Si基PD具有特别的意义,因为它们具有与CMOS和Bi CMOS超大规模集成电路和超大规模集成电子器件单片集成的潜力。我们以微米/纳米结构讨论了器件设计的优势和挑战,最后,我们总结了低维结构可能导致高性能PD设计范例转变的各种应用的未来发展方向,达到链接,单光子检测,光检测和测距以及高性能计算。

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