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摘要
本发明公开了一种碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法,该碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管自下而上依次包括：漏极金属、N+衬底、N#漂移层、P阱、结型场效应管JFET区域、N+源区、P+接触区、三层堆栈栅、源极金属和栅极,三层堆栈栅由金属氧化物介质层、High#K介质层与SiO2介质层纵向堆叠构成。本发明提升了沟道迁移率,提高了器件的正向导通能力,减小了功率损耗,并且抑制了High#K与栅金属之间的相互渗透,提高了栅极接触的稳定性,此外,采用淀积的方式生长三层堆栈栅的氧化层,使得氧化层的生长速度得到提高,降低了工艺成本。
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