一种Cu-(2)O多孔微米/纳米立方体的半导体材料及其制备方法

作者：石慧; 郁可; 朱自强

来源：2011-10-19, 中国, CN201110318546.8.

本发明公开了一种Cu-(2)O多孔微米/纳米立方体结构的半导体材料,其包括硅片衬底和沉积在硅片衬底表面的微米/纳米立方体结构Cu-(2)O晶体,微米/纳米立方体结构Cu-(2)O晶体包括立方体结构和生长在其表面的纳米级分支。本发明还公开了Cu-(2)O多孔微米/纳米立方体结构的半导体材料的制备方法,将无水乙醇和水混合作为溶剂,以Cu(CH-(3)COO)-(2)·H-(2)O和吡咯作为原料,利用水热方法进行制备。本发明制备方法具有产量大,成本低,重复性高等优点。本发明半导体材料的形貌特别,整体结构比表面积大,适用于传感器应用方面；表面的纳米级分支结构有较大的纵横比,有利于尖端放电,适用于场发射等器件。

• 单位
  华东师范大学