N-Al共掺ZnO薄膜的p型传导特性

作者：吕建国; 叶志镇; 诸葛飞; 曾昱嘉; 赵炳辉; 朱丽萍

来源：Pan Tao Ti Hsueh Pao/chinese Journal of Semiconductors, 2005, (04): 730-734.

• N-Al共掺ZnO薄膜
• p型传导
• N2O生长气氛
• 直流反应磁控溅射 N-Al codoped ZnO thin films
• p-type conduction
• N_2O ambient
• DC reactive magnetron sputtering

利用直流反应磁控溅射技术制得N Al共掺的p型ZnO薄膜,N2O为生长气氛.利用X射线衍射(XRD),Hall实验,X射线光电子能谱(XPS)和光学透射谱对共掺ZnO薄膜的性能进行研究.结果表明,薄膜中Al的存在显著提高了N的掺杂量,N以N Al键的形式存在.N Al共掺ZnO薄膜具有优良的p型传导特性.当Al含量为0.15wt%时,共掺ZnO薄膜的电学性能取得最优值,载流子浓度为2.52×1017cm-3,电阻率为57.3Ω·cm,Hall迁移率为0.43cm2/(V·s).N Al共掺p型ZnO薄膜具有高度c轴取向,在可见光区域透射率高达90%.

• 单位
  硅材料国家重点实验室