高成品率和平整度的GaN基Micro LED芯片激光剥离工艺的研究

作者：岳龙; 徐俞^*; 王建峰^*; 徐科^*

来源：人工晶体学报, 2023, 52(05): 805-811.

DOI：10.16553/j.cnki.issn1000-985x.20230426.008

• GaN
• 微型发光二极管
• 激光剥离
• 准分子激光器
• 成品率
• 平整度

使用波长248 nm的准分子激光器实现了GaN基微型发光二极管(Micro LED)的大面积激光剥离(LLO)。分离器件所需要的临界激光能量密度为800～835 mJ·cm-2,分离的器件完好无损，分离表面光滑，残余应力为0.071 4 GPa,均方根粗糙度仅为0.597 nm,远低于目前报道的LLO方法分离表面。该研究为实现高质量、高效率的GaN基Micro LED芯片的制备提供了一种有前景的思路，对柔性GaN基器件的制备具有一定意义。

• 单位
  中国科学技术大学; 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所; 苏州纳维科技有限公司