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摘要
本发明公开了一种低电阻率的氧化还原石墨烯及制备方法,使用铜箔辅助化学气相沉积(CVD)制备氧化还原石墨烯。本发明以常见易制备的氧化石墨烯粉末/薄膜为原料,在CVD还原过程中,创造性地引入铜箔,制备出低电阻率的高质量石墨烯。采用本发明所使用的铜箔辅助CVD还原能够有效刻蚀石墨烯上的含氧官能团,修复缺陷,从而使得制备出的石墨烯电阻率为300-500Ω/sq,与其他还原方法相比,至少降低一个数量级的电阻率。本发明所制备得到的石墨烯具有低电阻率、缺陷少及质量高的特点,适用于大规模大面积生产。
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