一种2.4GHz多模块集成CMOS射频前端芯片

作者：陈福栈; 甘业兵; 罗彦彬; 叶甜春

来源：微电子学与计算机, 2020, 37(12): 27-32.

DOI：10.19304/j.cnki.issn1000-7180.2020.12.006

• CMOS
• 射频前端模组
• 射频功率放大器
• 射频低噪声放大器
• 射频开关

为提升无线通信终端中射频模组的集成度、降低终端的实现成本,基于0.18μm CMOS工艺设计了一款2.4 GHz射频前端芯片,片上集成射频功率放大器(PA)、射频低噪声放大器(LNA)、射频开关、基准源电路及数字控制电路,PA和LNA的阻抗匹配网络均采用片上元件实现.测试结果显示,接收模式下,芯片的增益为11.2 dB,输入\\输出回波损耗分别为-5.8 dB及-21.1 dB,IIP3为3.9 dBm;发射模式下,芯片增益达26.8 dB,输入\\输出回波损耗分别为-21 dB及-14.2 dB,输出1 dB压缩点为23.5 dBm,峰值PAE达24%.本芯片对于2.4 GHz ISM频段通信系统具备一定的应用价值.

• 单位
  中国科学院微电子研究所; 中国科学院大学