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摘要
本发明公开了一种基于异质结构的N型金刚石HEMT器件及其制备方法,首先准备异质衬底；然后采用MPCVD工艺,在异质衬底上外延纳米金刚石沟道层,形成所述异质外延N型纳米金刚石,此时异质衬底作为势垒层；在纳米金刚石沟道层上继续外延多晶金刚石作为绝缘衬底；在势垒层背面沉积钝化层；利用刻蚀工艺刻蚀掉部分钝化层直至露出势垒层,分别形成源极区域、漏极区域和栅极区域,其中栅极区域位于源极区域、漏极区域的中间；在源极区域、漏极区域和栅极区域分别制备电极,形成源极、漏极和栅极,完成N型金刚石HEMT器件的制备。本发明制备的HEMT器件中,基于异质结的纳米金刚石的电子迁移率高达1000cm～2/V·s～3000cm～2/V·s,解决了金刚石N型器件无法实际应用的困局。
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