一种低温度系数CMOS基准电压源及芯片

作者：姚若河; 陈志彤; 耿魁伟; 刘玉荣; 朱映彬

来源：2023-06-25, 中国, CN202310755535.9.

本发明公开了一种低温度系数CMOS基准电压源及芯片,属于集成电路技术领域。其中基准电压源包括：μ-nT～2电流产生电路,用于产生一个与μ-nV-(TH)～2成正比的电流I-1；基准电压输出电路,包括镜像单元和基准单元,所述镜像单元用于按照预设比例复制电流I-1,产生电流I-2作用于基准单元；所述基准单元包括NMOS管和PMOS管,其中NMOS管的V-(GS)呈现为凹曲线,PMOS管的V-(SG)呈现凸曲线,将V-(GS)和V-(SG)两者进行叠加,得到一个低温度系数基准电压V-(REF)。本发明利用沟道调制效应使NMOS的V-(GS)呈现凹曲线,利用电子和空穴迁移率温度系数不同的特性使PMOS的V-(SG)呈现凸曲线,将两者叠加进行二次温度补偿,得到一个低温度系数CMOS基准电压V-(REF),显著地降低了电压基准的温度系数。

• 单位
  华南理工大学