太阳电池铸造多晶硅材料的结构缺陷及其控制

作者：李云明; 罗玉峰; 张发云; 胡云; 王发辉

来源：材料导报, 2015, 29(13): 29-33.

DOI：10.11896/j.issn.1005-023X.2015.013.005

• 多晶硅
• 黑硅
• 结构缺陷
• 杂质
• 晶界
• 位错

铸造多晶硅具有高的性价比,已成为主要的光伏材料,其晶体内的结构缺陷显著影响太阳电池的转换效率。综述了传统铸造多晶硅太阳电池材料和新型黑硅太阳电池材料的研究进展,同时阐述了控制多晶硅中的杂质、晶界、位错的途径及方法。

• 单位
  江西省高等学校硅材料重点实验室; 新余学院; 深圳先进技术研究院; 中国科学院大学