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摘要
短距离激光雷达技术应用广泛，但是要求器件的发散角比较小。针对器件的发散角，通过商用软件和波导模拟软件，设计850nm GaAs/AlGaAs扩展波导外延材料结构。采用非对称波导结构设计，有助于降低内部光学损耗，提高激光器的斜率效率，降低激光器功耗。通过优化腐蚀阻挡层GaInP的掺杂浓度，消除能带不连续导致器件电压升高问题。采用MOCVD生长了带有腐蚀阻挡层的AlGaAs/GaAs非对称扩展波导外延片，并制作成条宽2.5μm、腔长1mm的激光器芯片。测试结果表明，室温条件直流条件测试下，阈值电流为35mA，斜率效率为1.2 W/A，输出功为200mW@200mA，快轴发散角测试为15°。
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