一种非破坏性读取的铁电忆容器及其制作方法和应用

作者：田博博; 谢茁壮; 朱秋香; 段纯刚

来源：2021-08-25, 中国, CN202110979542.8.

本发明涉及一种非破坏性读取的铁电忆容器及其制作方法和应用,铁电存储器的结构为“电极-铁电层-电极-绝缘介质层-半导体”；制作方法为：首先在半导体衬底上生长一层绝缘材料介质层,其次在“半导体-绝缘介质层”基底上制作中间电极,然后在“半导体-绝缘介质层-电极”上生长铁电材料形成铁电薄膜层,最后在“半导体-绝缘介质层-电极-铁电层”上制作顶电极,形成忆容器；应用为：使顶电极作为输入端,基底半导体用银浆引出作为输出端,两端之间的电容可在正负脉冲作用下改变并保存,然后在小信号三角波下实现非破坏性读取。本发明实现了电容作为存储信息,并满足非易失存储的要求,读取和写入的速度快,且热损耗低,能量利用率高。

• 单位
  之江实验室; 华东师范大学