铌掺杂锆钛酸铅铁电薄膜调控CuInS2量子点的阻变性能

作者：朱茂聪; 邵雅洁; 周静^*; 陈文; 王志青; 田晶

来源：Acta Physica Sinica, 2022, 71(20): 247-256.

• CuInS2量子点
• Nb:Pb(Zr0.52Ti0.48)O3
• 阻变存储器
• 界面调控

CuInS2量子点(quantum dots,QDs)具有宽尺寸调节范围(2—20 nm)、丰富的电子俘获位点、高光吸收系数、较高的载流子迁移率和制备工艺简单等优势,可应用于下一代非易失性存储器,但其开关电压(-4.5/4.5 V)和阻变开关比(103)还达不到实际使用要求.本文引入铌掺杂锆钛酸铅(Nb:Pb(Zr0.52Ti0.48)O3,PNZT)制备CuInS2 QDs/PNZT复合薄膜,发现PNZT的引入可以明显改善QDs的阻变性能,开关电压降至-4.1/3.4 V,阻变开关比提升至106,在103次的循环耐久性测试中始终保持良好的稳定性.切换PNZT薄膜的铁电极化方向可以改变CuInS2 QDs/PNZT复合薄膜界面势垒高度和耗尽区宽度,以此调控CuInS2 QDs/PNZT复合薄膜的阻变性能.

• 单位
  材料复合新技术国家重点实验室; 武汉理工大学