摘要

非易失逻辑作为一种极具发展前景的非冯计算架构,能够实现单元层面的计算、存储功能融合,缓解传统计算架构中由于数据频繁搬运带来的性能和能耗问题。忆阻器具有操作速度快、可微缩性强、循环寿命长、与CMOS工艺兼容等特点,在实现非易失逻辑运算时有着不可比拟的优势。本文综述了利用忆阻器实现非易失逻辑运算的研究现状与前沿,对现有方法进行归纳、总结,从器件、阵列两个层面评估了影响逻辑运算性能的因素和优化方案,并对基于忆阻器非易失逻辑实现存算一体系统的发展趋势进行了总结和展望。