基于氧化锌的紫外探测器研究进展

作者:况丹; 卞曙光*; 徐爽; 刘斌; 刘贤文; 喻志农*
来源:半导体光电, 2022, 43(01): 100-109.
DOI:10.16818/j.issn1001-5868.2021101901

摘要

氧化锌(ZnO)是一种天然的宽禁带半导体材料,其理论上的禁带宽度为3.37 eV,近年来已经成为制备紫外探测器件的热门材料之一。然而,由于ZnO材料的本征缺陷,直接制备的紫外探测器件总是存在响应率低、暗电流大、响应速度慢等问题。为了获得更好的紫外探测性能,各种可行的器件改善和修饰方法被提出。文章从元素掺杂、表面修饰和异质结构造等三个方面评述了提升ZnO紫外探测器件性能的典型方法,分析了这些方法存在的问题,并展望了未来高性能紫外探测器的发展方向。

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