电磁干扰对CMOS传输门的影响

作者：陈杰; 杜正伟

来源：清华大学学报(自然科学版), 2012, (12): 1709-1714.

DOI：10.16511/j.cnki.qhdxxb.2012.12.016

• CMOS传输门
• 器件物理模拟
• 电磁干扰 CMOS transmission gate
• device simulation
• electromagnetic interference

电磁干扰对于电子设备的影响日益明显,因此对其干扰机理的研究至关重要。该文采用器件物理模拟的方法,利用自主开发的2维半导体器件-电路联合仿真器,研究了CMOS传输门在频率从1MHz到20GHz,功率从-2到24dBm电磁干扰作用下的响应。仿真结果表明:低频电磁干扰只要使得PMOS管或者NMOS管导通,电磁干扰就会在CMOS传输门断开的状态下通过;而高频电磁干扰则主要通过NMOS管的本征电容耦合到输出端,同时由于本征电容的旁路滤波作用受到一定的抑制。

• 单位
  微波与数字通信技术国家重点实验室; 清华大学