提升IGBT电流密度的制造工艺方法研究

作者：杨继业; 张须坤; 潘嘉

来源：集成电路应用, 2023, 40(07): 4-5.

DOI：10.19339/j.issn.1674-2583.2023.07.002

• 窄间距
• IGBT
• SJ-MOS
• 超级IGBT

阐述改善功率器件制造工艺、提升IGBT电流密度的可行性方案，基于SJNFET Ⅲ工艺平台和SJIGBT新技术，制造出650V/20A的Super-IGBT器件，当通态压降为2V时，电流密度高达515A/cm2。