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摘要
为了使新型薄膜太阳电池中的ZnO纳米材料衬底具有高的载流子迁移率，提升太阳电池载流子收集率，研究了调控ZnO纳米柱阵列形貌、光学及电学性能的方法。本文采用电化学沉积法，在含有不同配比的Zn(NO3)2、NH4NO3和Ga(NO3)3电解液中制备出Ga掺杂ZnO纳米柱阵列。通过控制电解液中NH4NO3的浓度，调控包括直径、间距和阵列密度在内的ZnO纳米柱几何形貌，进而调控ZnO纳米柱阵列的光透过率以及Ga在ZnO中的掺杂比例。Ga在ZnO纳米材料中的有效掺杂，使纳米材料的光学带隙增加，结合NH4NO3的浓度变化，实现光学带隙在3.49～3.56 eV之间可调。这种性能优异的纳米材料有望在薄膜太阳电池等光电器件中获得广泛的应用。
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