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摘要
随着集成电路特征尺寸的不断缩小,对晶圆制造工艺提出来更大挑战。彩虹效应是指晶圆局部或边缘处因异物,膜内分层,镀层厚度等原因导致晶粒表面所呈现的变色现象。本文基于模拟开关芯片开展失效分析,在芯片内晶粒局部检测到彩虹效应。并通过应用失效验证,电学参数测试,依据EMMI,OBIRCH的漏电流定位结果及电路原理图分析验证了彩虹效应对集成电路的电性能参数的影响。同时,借用FIB,EDS,XPS等物理分析方法,揭示了彩虹效应的失效机理。该案例展示了EMMI,OBIRCH在集成电路内部缺陷无损定位和分析的作用,为边缘缺陷的验证提供技术手段。
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单位深圳赛意法微电子有限公司
