焦磷酸钾和双氧水对化学机械抛光中铜/钴电偶腐蚀及去除速率的影响

作者：李浩然; 张保国^*; 李烨; 阳小帆; 杨朝霞

来源：电镀与涂饰, 2022, 41(01): 67-71.

DOI：10.19289/j.1004-227x.2022.01.015

• 铜
• 钴
• 电偶腐蚀
• 化学机械抛光
• 焦磷酸钾
• 双氧水
• 去除速率

通过电化学测试和化学机械抛光(CMP)试验研究了pH=10的抛光液中焦磷酸钾和双氧水的质量分数对Cu/Co电偶腐蚀的影响。结果表明,适量K4P2O7和H2O2的存在能够有效减小Cu与Co之间的腐蚀电位差,最小可降至11 mV。采用由0.3%H2O2、0.1%K4P2O7和2%硅溶胶组成的抛光液进行化学机械抛光时,Cu、Co的去除速率分别为312.0?/min和475.6?/min。

• 单位
  电子信息工程学院; 河北工业大学