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摘要
本发明公开了一种间接加热型Ge-Sb-Te基相变射频开关及其制备方法,所述的射频相变开关采用四层加工工艺。由下往上分别为加热层、隔热层、Ge-Sb-Te基相变层和射频传输层,每层的图案化由电子束光刻套刻工艺实现,其中Ge-Sb-Te基相变层依靠脉冲激光沉积技术实现,加热方式为间接加热。相变射频开关通过脉冲加热使相变材料发生晶态非晶态的转变的同时电阻率发生巨大的变化来实现射频传输的开关。本发明实施例中的相变射频开关是在已有的成熟硅半导体加工工艺基础上来制作间接加热型Ge-Sb-Te基相变射频开关,从而在可以提高相变开关可靠性的同时,使相变开关的制作工艺变得更简单,成本更低且集成度更好。
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