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摘要
采用金属蒸气真空弧(MEVVA)离子注入机,合成获得高浓度掺铒硅发光薄膜,并对其进行成分和结构分析。在小束流2.5μA.cm-2、小注量5×1016cm-2的注入条件下,Er注入单晶硅,随着退火温度升高,存在Er析出,且析出量增多。相同束流条件下,增大Er的注量也会导致Er析出,甚至出现ErS i2相。
- 单位
采用金属蒸气真空弧(MEVVA)离子注入机,合成获得高浓度掺铒硅发光薄膜,并对其进行成分和结构分析。在小束流2.5μA.cm-2、小注量5×1016cm-2的注入条件下,Er注入单晶硅,随着退火温度升高,存在Er析出,且析出量增多。相同束流条件下,增大Er的注量也会导致Er析出,甚至出现ErS i2相。
