气态源分子束外延生长重碳掺杂p型InGaAs研究

作者：徐安怀; 陈晓杰; 齐鸣; 朱福英

来源：功能材料与器件学报, 2004, (04): 423-426+412.

• 分子束外延
• 碳掺杂
• 四溴化碳
• InGaAs
• 异质结双极晶体管 molecular beam epitaxy
• carbon dop ing
• carbon tetrabromide
• h eterojunction bipolar transistor

采用气态源分子束外延(GSMBE)技术,以四溴化碳(CBr4)作为碳杂质源,系统研究了InP衬底上碳掺杂p型InGaAs材料的外延生长及其特性,在AsH3压力5.33×104Pa,生长温度500℃条件下获得了空穴浓度高达1×1020/cm3、室温迁移率为45cm2/Vs的重碳掺杂p型In0.53Ga0.47As材料。研究了CBr4和AsH3束流强度以及生长温度等生长条件对碳掺杂InGaAs外延层组份、空穴浓度和迁移率的影响,并对不同生长条件下的氢钝化效应进行了分析。

• 单位
  信息功能材料国家重点实验室; 中国科学院研究生院; 中国科学院上海微系统与信息技术研究所