LED用硅掺杂GaAs晶体的生长与表征(英文)

作者：金敏; 徐家跃; 房永征; 何庆波; 周鼎; 申慧

来源：人工晶体学报, 2012, 41(03): 594-598.

DOI：10.16553/j.cnki.issn1000-985x.2012.03.039

• GaAs
• 晶体生长
• 坩埚下降法
• 硅掺杂
• 孪晶 GaAs
• crystal growth
• pulling-down method
• Si-doped
• twins

采用坩埚下降法生长了LED用硅掺杂<511>取向的GaAs晶体。选用带籽晶槽的PBN坩埚作为生长容器,密封在石英安瓶中以防止生长过程中As蒸汽挥发。研究了掺杂工艺、固液界面形貌和生长缺陷。结果表明:孪晶化是硅掺杂GaAs晶体生长的主要问题。探讨了孪晶形成机理,优化了生长工艺,成功获得了直径2英寸高质量的硅掺杂GaAs晶体,双摇摆曲线显示所得晶体的FWHM为40 arcsec。

• 单位
  上海应用技术学院; 材料科学与工程学院