摘要

旨在为黄瓜的合理施肥、科学种植提供理论依据,以改良津春2号黄瓜幼苗为试材,采用营养液培养,研究外源硅(K2SiO3,0.8 mmol/L)对铵硝不同配比(铵态氮(NH4+-N)、硝态氮(NO3--N)所占比例分别为100%、0,75%、25%,50%、50%,25%、75%,0、100%)下黄瓜幼苗生长发育和抗氧化系统的影响。结果表明,不加硅条件下,随着硝态氮所占比例的增加,黄瓜幼苗的生物量、光合色素均呈上升趋势,电解质渗透率呈下降趋势。不同形态氮素配比对黄瓜地上部、地下部的抗氧化酶活性的影响不同,地上部SOD和POD活性随着NH4+-N所占比例降低表现出先降低后升高的趋势;地下部SOD和POD活性与NO3--N所占比例呈负相关。根施外源硅后植株地上部、地下部干鲜质量以及总干鲜质量、光合色素含量较不施硅时均显著提高,黄瓜幼苗地上部、地下部电解质渗透率均降低。NH4+-N、NO3--N所占比例为75%、25%时,黄瓜幼苗生长发育受到显著抑制,导致细胞膜氧化胁迫程度提高,电解质渗透率增加;而施硅则显著提高地下部SOD、POD和CAT活性,维持细胞膜的完整性,降低电解质渗透率。因此,外源硅可以有效缓解铵态氮对黄瓜幼苗生长发育的胁迫作用。