湿法去除N型硅硼扩散过程形成的富硼层

作者：龙腾江; 徐冠群; 杨晓生; 沈辉

来源：材料科学与工程学报, 2015, 33(01): 9-35.

DOI：10.14136/j.cnki.issn1673-2812.2015.01.003

• N型硅
• 富硼层
• 湿法化学腐蚀

硼扩散被广泛应用于n型硅基的p-n结制结工艺,然而硼扩散难免会在硅片表面形成一层很薄的的富硼层,该层由于富集无活性硼原子会严重影响电池性能。本研究制备HF-HNO3化学腐蚀液来去除富硼层,采用该方法去除富硼层后的硅片少子寿命从26.829μs增加到69.106μs;WCT-120测得一个光照下Voc从610mv增加到了625mv,发射极饱和电流密度显著降低;去除富硼层后的方块电阻均匀性表现良好,甚至比采用传统后氧化法更具优势。虽然反射率有细微增加,但是对于镀完氮化硅减反膜后腐蚀所带来的反射率升高只有0.13%,因此,认为该方法可以成功应用到富硼层的去除中。

• 单位
  中山大学; 顺德中山大学太阳能研究院; 中国电子科技集团公司第四十八研究所