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摘要
通过实验,得到了发光二极管的各种特性及电光驱动特性,一些复合半导体材料(如GaAs等)形成的PN结正向偏置时,空穴与电子在PN结复合产生特定波长的光,其发光波长与相应半导体材料的能级间隙Eg有关。利用具有光电导效应的材料(如硅、锗等本证半导体与如硫化镉、硒化镉、氧化铅等杂质半导体)可以制成电导随入射光度量变化的器件,叫做光电探测器,即光敏电阻。光敏电阻的工作原理是光电导效应。如果没有光射入,其阻值较高,如果有光射入,其阻值变小。当光的强度逐渐增大时,光敏电阻阻值逐渐变小,停止光照了,光敏电阻的阻值与无光照时相同,即是原值。它是由涂于玻璃底板上的一薄层半导体材料构成,其上装有梳妆电极。发光二极管作为光源,光敏电阻、光敏二极管在受到光照时,光敏电阻阻值的变化和光敏二极管具有伏安特性。
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单位山东科技大学; 电子工程学院
