低位错密度8英寸导电型碳化硅单晶衬底制备

作者：熊希希; 杨祥龙^*; 陈秀芳^*; 李晓蒙; 谢雪健; 胡国杰; 彭燕; 于国建; 胡小波; 王垚浩; 徐现刚

来源：无机材料学报, 2023, 38(11): 1371-1372.

• 4H-SiC
• 8英寸
• 低位错密度
• 单晶衬底

碳化硅具有优异的物理化学性能,在电动汽车、轨道交通、高压输变电、光伏、5G通信等领域具有广泛应用前景。8英寸(1英寸=2.54 cm)SiC衬底在降低器件单位成本、增加产能供应方面具有巨大的潜力,成为行业重要的技术发展方向。近期山东大学与广州南砂晶圆半导体技术有限公司在8英寸SiC衬底位错缺陷控制方面取得了重大突破,使用物理气相传输法(Physical vapor transport,PVT)制备了低位错密度8英寸导电型4H-SiC单晶衬底,其中螺位错(Threading screw dislocation,TSD)密度为0.55 cm-2,基平面位错(Basal plane dislocation,BPD)密度为202 cm-2。

• 单位
  山东大学; 晶体材料国家重点实验室