摘要
一种用于制备组分渐变的Bi(AlxGa1#x)O3薄膜材料的装置,薄膜材料采用自限制性表面吸附反应得到。在由程序控制的每个生长周期中,设置两个计数器分别用于设定和控制每一个生长周期中有机铝源气体脉冲、有机镓源气体脉冲的数量,在逐次生长过程中,其中一个计数器的值逐渐增加,另一个计数器的值逐渐减小。通过采用本发明的装置制备Bi(AlxGa1#x)O3薄膜材料的方法,可以实现组分渐变、跨越准同型相界的Bi(AlxGa1#x)O3薄膜材料,且Bi(AlxGa1#x)O3薄膜生长厚度的精确可控。
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