常压高温固相反应制备SiC陶瓷粉体的研究进展

作者：兰晓琳^*; 郑红星^*; 张依帆; 赵振; 肖和业; 王志江; 邓鹏飏

来源：应用化学, 2023, 40(04): 476-485.

DOI：10.19894/j.issn.1000-0518.220287

• 碳化硅
• 颗粒
• 纳米线
• 生长机理
• 影响因素

陶瓷粉体的纯度、微观形貌和均匀度等性质会影响陶瓷产品的最终性能，因此实现碳化硅粉体材料的可控合成是目前碳化硅材料制备领域的研究重点。本文以碳化硅材料为主体，综述了目前碳化硅生产的主要方法。重点结合常压高温固相反应体系下，基于气-液-固(VLS)机制以及气-固(VS)机制生长机理探讨了温度、原料、催化剂、气体过饱和度等因素对碳化硅陶瓷粉体制备过程中的具体影响。实现碳化硅陶瓷粉体的可控合成对碳化硅材料规模化生产、应用及后续制备陶瓷产品具有重要的理论价值和指导意义。

• 单位
  中国科学院; 哈尔滨工业大学; 中国科学院长春应用化学研究所; 西北工业大学; 中国科学技术大学