PECVD淀积氮化硅薄膜性质研究

作者：王晓泉; 汪雷; 席珍强; 徐进; 崔灿; 杨德仁

来源：太阳能学报, 2004, (03): 341-344.

• 太阳电池
• PECVD
• 氮化硅 solar cells
• PECVD
• SiNx

使用等离子体增强化学气相沉积(PlasmaEnhancedChemicalVaporDeposition,PECVD)在P型硅片上沉积了氮化硅(SiNx)薄膜,使用薄膜测试仪观察了薄膜的厚度、折射率和反射光谱,利用扫描电子显微镜(SEM),原子力显微镜(AFM)观察了截面和表面形貌,使用傅立叶变换红外光谱仪(FTIR)和能谱仪(EDX)分析了薄膜的化学结构和成分。最后,考察了薄膜在经过快速热处理过程后的热稳定性,并利用霍尔参数测试仪(Hall)比较了薄膜沉积前后载流子迁移率的变化。

• 单位
  硅材料国家重点实验室