基于天然辉钼矿制备的少层MoS2纳米片及其超电容性能研究

作者:陈浩然; 齐慧强; 陈一人; 夏开胜*; 李珍
来源:矿产保护与利用, 2022, 42(04): 22-29.
DOI:10.13779/j.cnki.issn1001-0076.2022.04.003

摘要

以天然辉钼矿为原料,采用Na+离子辅助液相剥离法制备了一种少层的MoS2纳米片(F-MoS2)。分析结果表明,剥离得到的F-MoS2纳米片厚度约为1.1~1.5 nm,对应为2~3层MoS2。电化学性能测试发现,F-MoS2在0.25 A/g的电流密度下质量比容量可达到73.7 F/g,远高于未剥离的辉钼矿(9.2 F/g)和商品MoS2(19.6 F/g),F-MoS2显著提升的电容量主要归因于其充分暴露的活性表面。本研究证实了通过Na+离子辅助液相剥离法制备的F-MoS2是一类非常有应用前景的储能材料。