应变对硅晶体生长影响的分子动力学模拟研究

作者：吴小元; 张弛; 周耐根; 周浪

来源：人工晶体学报, 2014, 43(12): 3185-3190.

DOI：10.16553/j.cnki.issn1000-985x.2014.12.037

• 晶体生长
• 应变
• 硅
• 分子动力学

基于Tersoff势描述的硅原子间相互作用,通过分子动力学方法模拟考察了在垂直于生长方向上分别对晶体施加了不同应变时,硅沿[100]和[112]晶向的晶体生长。结果显示,在压应变条件下,随着应变的增大晶体生长速率减小;而在拉应变条件下,在小应变范围内,晶体生长速率随应变增大并不减小,甚至还可能增大,只有当应变达到一定程度时,晶体生长速率才会随着应变的增大而减小;拉应变对[112]方向生长中液-固界面的形态也产生了显著影响。

• 单位
  南昌大学; 南昌大学材料科学与工程学院