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摘要
本发明涉及一种双栅控制的高耐压双沟道增强型HEMT器件及制备方法,其包括外延叠层,外延叠层包括依次层叠的缓冲层、第一沟道层以及第二沟道层,缓冲层邻接第一沟道层的表面设置有p型埋层区域,还包括第一阶台阶,第一阶台阶暴露缓冲层邻接第一沟道层的表面以及p型埋层区域的表面,栅极凹槽延伸至第二沟道层中一定深度,p型GaN层设置于栅极凹槽中,第一栅极设置于p型GaN层上,Γ型栅场板自第一栅极朝向漏极一侧延伸,第二栅极位于第一阶台阶表面,与p型埋层区域肖特基接触。该双栅极以及p型埋层和p型GaN层的设置使得器件获得更高的饱和电流,提高了阈值电压,降低缓冲层的泄露电流,进一步提高器件的耐压特性。
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