一种带氧化槽的双栅LDMOS

作者：臧凯旋; 方健; 吴杰; 贺雅娟; 陶垠波

来源：微电子学, 2013, (02): 287-291.

• 氧化槽
• 双栅
• 比导通电阻
• LDMOS
• 功率器件 Oxide trench
• Dual gate
• Specific on-resistance
• Power device

提出了一种带氧化槽的双栅体硅LDMOS结构(DGT LDMOS)。在漂移区中引入一个氧化槽,在该槽上形成埋栅,同时形成一个槽栅。首先,双栅形成双导电沟道,减小了比导通电阻;其次,氧化槽折叠了漂移区,这不仅调制了电场的分布,而且提高了漂移区的优化浓度,有效提高了击穿电压,降低了比导通电阻。采用二维数值仿真软件MEDICI,对器件参数进行仿真和优化设计。结果表明,相对于普通体硅LDMOS(SG LDMOS),该结构的比导通电阻下降了56.9%,击穿电压提高了82.4%。在相同尺寸和击穿电压下,相对于单槽栅体硅LDMOS(SGT LDMOS),DGTLDMOS的比导通电阻下降了35.4%。

• 单位
  电子科技大学; 电子薄膜与集成器件国家重点实验室