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摘要
本发明公开了一种碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法,该碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管自下而上依次包括：漏极金属、N+衬底、N#漂移层、P阱、结型场效应管JFET区域、N+源区、P+接触区、复合栅介质、源极金属和栅极,所述复合栅介质由High#K介质与SiO2介质横向分布构成。本发明由High#K介质与SiO2介质的横向分布构成复合栅介质,降低了SiC#MOSFET界面陷阱的密度,提升了沟道迁移率,提高了器件的正向导通能力,以减小功率损耗,此外,本发明采用淀积的方式生长复合栅介质的氧化层,使得氧化层的生长速度得到提高,从而降低了工艺成本。
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