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摘要
采用反应直流磁控溅射法,在Si基底上制备TiN薄膜。研究了溅射沉积过程中溅射气压和Ar/N2气体流量比对TiN薄膜结构及其电学性能的影响,并对试验结果进行了分析。研究发现,在Ar/N2气体流量比为15∶1时,TiN薄膜的表面均方根粗糙度和电阻率都为最小。当溅射气压增大时,薄膜厚度减小。当溅射气压为0.30.5Pa时,薄膜表面较光滑,电阻率较小。
- 单位
采用反应直流磁控溅射法,在Si基底上制备TiN薄膜。研究了溅射沉积过程中溅射气压和Ar/N2气体流量比对TiN薄膜结构及其电学性能的影响,并对试验结果进行了分析。研究发现,在Ar/N2气体流量比为15∶1时,TiN薄膜的表面均方根粗糙度和电阻率都为最小。当溅射气压增大时,薄膜厚度减小。当溅射气压为0.30.5Pa时,薄膜表面较光滑,电阻率较小。
