电感耦合等离子体刻蚀对InGaP/GaAs台面形貌的影响

作者：李碧媛; 张永宏; 魏育才; 徐智文^*; 蔡松智; 周必顺

来源：半导体技术, 2020, 45(03): 219-243.

DOI：10.13290/j.cnki.bdtjs.2020.03.008

• ICP刻蚀
• 台面形貌
• Cl2/N2
• InGaP/GaAs
• 台阶覆盖

制作InGaP/GaAs台面时,若使用湿法刻蚀需分多步进行,且易发生钻蚀问题,使得台面上的金属覆盖层易断裂。为改善InGaP/GaAs的台面形貌,以N2/Cl2混合气体为刻蚀剂,采用电感耦合等离子体(ICP)刻蚀,探讨了Cl2的体积分数、腔体压力、源功率和偏压功率等刻蚀条件对台面形貌的影响,并进一步研究刻蚀后台面形貌对金属台阶覆盖的影响。实验结果表明,Cl2的体积分数变化对刻蚀台面形貌影响最大,刻蚀后台面侧壁角的可控范围为64.1°～92.0°;而腔体压力、源功率和偏压功率对台面形貌的影响有限。当刻蚀台面侧壁角约为65°时,金属台阶覆盖良好;当刻蚀台面侧壁角约为75°时,金属台阶覆盖会出现裂纹;当刻蚀台面侧壁角约为90°时,金属台阶覆盖会断裂。