由于过渡金属硫族化合物与石墨烯的结构类似,并且具有带隙,这使得其在电子器件方面有着良好的应用前景。有趣的是,可以通过改变二硫化钼的层数来调控其禁带宽度,将其转变为直接带隙半导体。本文主要介绍了通过化学气相沉积法生长单层二硫化钼材料,并总结出金属前驱物对二硫化钼材料生长的调制效应。
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