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摘要
宽禁带半导体器件具有高频、高效率、高功率密度等优点。然而，低寄生电容、低阈值电压和快速开关等特性也使它们更容易受到开关振荡的影响。本文综述开关振荡的类型、产生机理、敏感参数以及抑制方法。首先，依据波形特征将振荡分为阻尼振荡及自持振荡两类；其次，建立开关振荡分析模型，包括器件模型和开关电路模型，依托该模型研究了两种振荡的机理、敏感参数以及各敏感参数对振荡特性的影响规律；再次，分析两类开关振荡的差异性和关联性；最后，总结抑制开关振荡的主要方法，并对各种方法的优缺点进行比较分析。本文对前人研究成果进行总结和延伸，期望帮助研究人员更好地将宽禁带器件应用于高频高功率变换工况。
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单位华北电力大学; 新能源电力系统国家重点实验室
