SiC MOSFET在Boost电路中的应用

作者：韩芬; 张艳肖; 石浩

来源：工业仪表与自动化装置, 2021, (06): 65-69.

DOI：10.19950/j.cnki.cn61-1121/th.2021.06.012

• SiC MOSFET
• 静态特性
• 动态特性

第三代半导体材料SiC功率器件由于高温、高频、高阻断电压等优良特性,有利于提升电能变换装置的功率密度和效率,减小重量和体积,降低制造成本。利用PSpice仿真软件测试SiC MOSFET和Si IGBT的静态特性,设计了SiC MOSFET的驱动电路,利用双脉冲电路测试SiC MOSFET的动态特性。分析SiC MOSFET在Boost电路中的应用,利用单片机STM32F407ZG实现双脉冲以及PWM信号,最后搭建实验电路。实验结果表明,SiC MOSFET的开关响应速度快,导通电阻小,开关损耗小,电路效率高。

• 单位
  西安交通大学城市学院