基于开关轨迹优化的SiC MOSFET有源驱动电路研究综述

作者：王宁; 张建忠^*

来源：电工技术学报, 2022, 37(10): 2523-2537.

DOI：10.19595/j.cnki.1000-6753.tces.210560

• SiC MOSFET
• 有源栅极驱动
• 开关轨迹
• 振荡

随着SiC MOSFET的推广，其开关暂态过程中的超调、振荡以及电磁干扰问题越来越受到人们的重视。有源栅极驱动（AGD）电路作为一种新型驱动电路，已被广泛应用于SiC MOSFET开关轨迹的优化控制。首先，该文分析AGD电路的工作原理，给出不同驱动参数对开关特性的影响；其次，着重探讨阈值触发型AGD电路的工作模式，分别从暂态定位技术、逻辑处理架构和功率放大拓扑三方面对AGD电路进行归纳总结，并评价不同技术的优缺点，给出AGD电路设计的建议流程；最后，展望基于SiC MOSFET开关轨迹优化的AGD电路的发展趋势。

• 单位
  东南大学