介绍了一种回字形抗辐射环栅LDMOS器件。分析了该器件在版图绘制中的结构优势，并结合Sentaurus仿真结果，通过区域划分和类MOS结构拟合阈值电压，给出了该器件的等效宽长比模型和饱和电流模型。在标准商用0.18μm BCD工艺下流片，测试结果表明，理论模型在一定栅压范围内误差可低于10%。在总剂量测试中，关态泄漏电流随剂量增加变化较小，有一定的抗辐射加固能力。
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