摘要

本发明公开了一种改善晶格失配的硼铝氮/氮终端金刚石二维电子气异质结结构的制备方法,包括以下步骤:获取111面单晶硅衬底;在111面单晶硅衬底上外延生长单晶氮化硼过渡层;在单晶氮化硼过渡层表面生长金刚石外延层;对金刚石外延层表面进行氮终端处理,形成氮终端表面;在氮终端表面上外延生长具有施主杂质掺杂的Al面极性纤维锌矿结构的单晶硼铝氮,形成硼铝氮外延层,以形成硼铝氮/氮终端金刚石二维电子气异质结。本发明的制备方法突破了高质量金刚石衬底的尺寸限制,有效缓解了金刚石上硼铝氮在外延过程中的晶格畸变,减少形成的异质结界面处的表面态与悬挂键,提高了金刚石异质结的质量。